Überblick

Der fachliche Schwerpunkt dieses Workshops ist das Erarbeiten, Durchführen und Auswerten eines Versuchsplans zur prozesstechnischen Freigabe eines neuen Tools für die Fertigung in der Halbleiterindustrie. Die Ergebnisse des DOS fließen in eine Dokumentation ein und führen zum Vorschlag eines ersten Geräte-Rezepts.

Teil 1:

Grundlagen zum veraschen von Photolack-Schichten im Plasma erarbeiten. Mögliche Szenarien für unterschiedliche Lackeigenschaften sammeln und die Simulation der Oberflächen planen. Ein DOE für die Beurteilung der Prozessfähigkeit des Veraschers erstellen.

Teil 2:

Vorbereitung der Testwafer mit unterschiedlicher Vorgeschichte.

Teil 3:

Kennenlernen des Verschers und seiner Peripherie. Die Bedienung im automatischen und manuellen Betrieb wird geübt und die Funktionsweise wird erkundet. Die messtechnische Auswertung erfolgt am Reflektometer F20 und am Profilometer Dektak. Die optische Beurteilung am Keyence 3D-Mikroskop. Dafür wird der Umgang mit den Messgeräten geübt und die Möglichkeiten der Messung beurteilt.

Teil 4:

Im praktischen Versuch Teil 1 werden am Verascher die im DOE geplanten Experimente durchgeführt und an den Messgeräten ausgewertet. Die Ergebnisse werden dokumentiert und diskutiert. Daraus ergibt sich ein erstes Bild des Verascher-Prozesses. Daraus wird ein zweites DOE erstellt, in dem der Einsatz des Veraschers im Batch-Betrieb getestet wird.

Teil 5:

Es werden die notwendigen Dummy-Wafer für das DOE Teil 2 vorbereitet und die Batchprozesse nach Plan durchgeführt. Die Ergebnisse werden dokumentiert und diskutiert. Daraus ergibt sich ein abschließendes Bild über die Möglichkeiten der Lackveraschung im Plasma und die Grenzen des Prozesses.

Teil 6:

Die Freigabe des Tools mit Angabe der Prozessfähigkeit wird dokumentiert.